CMP, azaz Kémiai Mechanikus Polírozás, Vegyi Mechanikus Polírozás.
CMPPAD, azaz Chemical Mechanical Polishing Pad, kémiai mechanikai polírozó betét.
1. A CMP alapelvei
Makroszkóposan nézve a CMP alapelve: a forgó polírozott ostyát rányomják a CMP párna azonos irányban forgó elasztikus polírozó párnájára, és a polírozó szuszpenzió folyamatosan áramlik az ostya és az alaplap között. A felső és alsó tárcsa nagy sebességgel fordítva működik, a reakciótermék pedig a polírozott ostya felületén folyamatosan levál, és a polírozott ostya felületén folyamatosan levál, adjuk hozzá, és a reakcióterméket a polírozó szuszpenzióval együtt eltávolítjuk. Az újonnan feltárt ostyasík ismét kémiai reakción megy keresztül, majd a terméket lefejtjük, és oda-vissza keringetjük, ultrafinom felületet képezve a hordozó, a csiszolószemcsék és a kémiai reakciószer együttes hatására.
2. A CMP alkalmazása
A CMP technológia koncepcióját először a Monsanto javasolta 1965-ben. Ezt a technológiát eredetileg jó minőségű üvegfelületek, például katonai teleszkópok előállítására használták. 1988-ban az IBM elkezdte alkalmazni a CMP technológiát a 4M DRAM gyártására, és amióta az IBM sikeresen alkalmazta a CMP-t a 64M DRAM gyártásához, 1991-ben a hagyományos mechanikai technológia, vagy a világ pusztán gyorsan fejlődött a CMP. polírozási módszerek, a CMP kémiai és mechanikai hatások kombinációját alkalmazza, hogy elkerülje az egyszerű mechanikai polírozás okozta felületi sérüléseket, valamint az egyszerű kémiai polírozásból könnyen előidézhető hiányosságokat, például a lassú polírozási sebességet, a rossz felületi síkságot és a polírozási konzisztenciát. A „lágy csiszolás és a kopás keménysége” elvét alkalmazza, vagyis puhább anyagokat használnak a polírozáshoz a magas minőségi polírozás és a minőségibb polírozás elérése érdekében. iszap, a polírozott munkadarab a polírozó párnához képest elmozdul. A nano-részecskék csiszoló hatásának és az oxidálószer korrozív hatásának szerves kombinációja révén sima felület képződik a polírozott munkadarab felületén. A CMP technológia legszélesebb körben alkalmazott alkalmazása a mátrixanyagok szilíciumlapkáinak polírozása integrált áramkörökben (IC) és ultra-}}nagyméretű integrált áramkörökben. az eszköz jellemző mérete 0,35 µm alatti, a litográfiai képátvitel pontosságának és felbontásának biztosítása érdekében globális planarizálást kell végezni, és jelenleg a CMP szinte az egyetlen technológia, amely globális planarizálást tud biztosítani, alkalmazási köre napról napra bővül.
Jelenleg a CMP technológia olyan CMP technológiává fejlődött, amelynek fő része a kémiai mechanikus polírozógép, amely integrálja az online észlelést, a végpontfelismerést, a tisztítást és más technológiákat. Az integrált áramkörök mikro-finomítási, többrétegű, vékonyítási és simítási folyamatok fejlesztésének terméke. Ugyanakkor szükséges folyamattechnológia a 200 mm-ről 300 mm-es és még nagyobb átmérőjű ostyák átmenetéhez is, a termelékenység növelése, a gyártási költségek csökkentése és a hordozó globális simítása érdekében.
3. CMP technikai felszerelések és fogyóeszközök
CMP, azaz kémiai mechanikai polírozás, kémiai mechanikai polírozás. A CMP technológiában használt berendezések és fogyóeszközök közé tartoznak a következők: polírozó gép, polírozó szuszpenzió, CMP polírozó párna, utó{1}}CMP tisztító berendezés, polírozási végpont-érzékelő és folyamatvezérlő berendezés, hulladékkezelő és -vizsgáló berendezés, stb. A CMP folyamat kulcsfontosságú elemei, teljesítményük és kölcsönös illeszkedésük meghatározza a CMP által elérhetõ felületi síkság szintjét. Közülük a polírozó szuszpenzió és a CMPPAD polírozó betét fogyóeszközök.
Negyedszer, a fő problémák a CMP folyamatban
A polírozó iszap kutatásának végső célja a kémiai és mechanikai hatások legjobb kombinációjának megtalálása, hogy nagy eltávolítási sebességgel, jó lapossággal, jó filmvastagság-egyenletességgel és nagy szelektivitással rendelkező polírozó szuszpenziót kapjunk. Ezenkívül figyelembe kell venni olyan kérdéseket is, mint a könnyű tisztítás, a berendezések korróziója, a hulladékkezelés költségei és a biztonság.
A hibák csökkentése örök téma a CMP folyamatban, sőt az egész chipgyártásban. A félvezetőiparban is megvannak a megfelelő "kimondatlan szabályok" a CMP folyamatra vonatkozóan, vagyis a CMP eljárás után az eszköz anyagvesztesége nem lehet kevesebb, mint a teljes eszköz vastagságának 10%-a. Más szóval, a hígtrágyának nem csak az anyag jellemző méretét és hatását kell hatékonyan eltávolítani, hanem hatékonyan szabályozni. a készülék tovább zsugorodik, a hibák hatása a folyamatszabályozásra és a végső hozamra egyre nyilvánvalóbbá válik. A végzetes hibák mérete a készülék méretének legalább 50%-át igényli.
V. A CMP fejlődési kilátásai
A gallium-nitrid (GaN) által képviselt harmadik -generációs széles sávú félvezető anyag gyorsan fejlődött az elmúlt években. A gallium-nitrid (GaN)-alapú félvezető anyagok nagy fényhatékonysággal, jó hővezető képességgel, magas hőmérséklettel szembeni ellenállással, sugárzásállósággal, nagy szilárdsággal és nagy keménységgel rendelkeznek, és nagy hatékonyságú kék és zöld fényt kibocsátó diódák és lézerdiódák (más néven galliumaGN) készíthetők belőlük. kristályok önmagukban, és a szerkezetükhöz hasonló hordozóanyagon kell termeszteni. Jelenleg a nemzetközileg elismert hordozóanyag a zafírkristály. A gallium-nitrid (GaN) anyagok iránti piaci kereslet növekedésével a zafír iránti kereslet is gyorsan nő.