Az új generációs poliuretán CMP pad formulák alkalmazkodnak a PFAS által korlátozott félvezető gyártási környezethez

Aug 28, 2026 Hagyjon üzenetet

A félvezetőipar globális környezetvédelmi előírásai 2026-ban folyamatosan szigorodnak, és a PFAS-osztályú anyagokra vonatkozó korlátozások fokozatosan kiterjednek az ostyalapok belsejében használt fogyóanyagokra, beleértve a CMP polírozó párnákat is. A hagyományos csúcskategóriás CMP párnák részben fluorral módosított komponenseket alkalmaznak, hogy fokozzák a vegyi iszapos ellenállást és a felületi nedvesítési teljesítményt. A szabályozási trenddel szembesülve a GaN-dedikált CMP betétek fejlesztőinek újra kell tervezniük a poliuretán formulákat anélkül, hogy feláldoznák a kemény GaN felületek polírozási teljesítményét.

A GaN CMP folyamatok gyakran alkalmaznak összetett pH-környezetű polírozó szuszpenziót és nanoméretű csiszolószemcséket. Fluorral módosított adalékok nélkül a poliuretán betét anyagok nagyobb kockázattal szembesülnek a kémiai erózió, a pórusok eltömődése és a felületi öregedés kockázata a működés során. Az anyagmérnököknek be kell állítaniuk a poliol-izocianát illeszkedési arányt, optimalizálniuk kell a keresztkötések sűrűségét, és javítaniuk kell magának a poliuretán mátrixnak a hidrolízis- és duzzadásgátló képességét, hogy az eredetileg fluortartalmú összetevőkkel megvalósított funkciók egy részét lecseréljék.

Az iparági visszajelzések azt mutatják, hogy sok betétszállító még mindig a PFAS-mentes GaN CMP termékek mintatesztelési fázisában van. A jelenlegi fő kihívások a három fő mutató egyensúlyozásában rejlenek: az anyageltávolítási arány, a hibaelhárítási képesség és az élettartam. Néhány korai kipróbálású fluormentes betét megfelelő felületi minőséget mutat a rövid ideig tartó laboratóriumi vizsgálatok során, de a kopási sebesség nyilvánvalóan felgyorsul folyamatos jó működési feltételek mellett, ami növeli az ostyánkénti fogyóeszközök összköltségét.

Poliuretán K+F platformunkra alapozva módosított poliuretán anyagminőségeket fejlesztettünk ki, amelyek a PFAS-mentes GaN CMP betétgyártás felé irányulnak. A polimer vázszerkezet beállításával növeljük a kémiai stabilitást fluor adalékok nélkül. A downstream partnerek a pórusképzési folyamatot tovább tudják egyeztetni saját betét-kialakításuk szerint. Továbbra is együttműködünk a fogyóeszközök fejlesztőivel a közös hitelesítés befejezése érdekében, és előmozdítjuk a környezetbarát poliuretán megoldások ipari alkalmazását a következő generációs GaN lapkák síkosítására.